晶盛機電：碳化硅12英寸技術(shù)突破落地 半導(dǎo)體裝備未完成訂單超37億元

    近日，浙江晶盛機電股份有限公司（證券代碼：300316，證券簡稱：晶盛機電）舉辦投資者關(guān)系活動，接待了易方達基金、摩根基金、華夏久盈資產(chǎn)、富國基金等超 120 家知名機構(gòu)投資者代表�；顒又�，公司投資者關(guān)系負責(zé)人林婷婷詳細披露了碳化硅襯底、半導(dǎo)體裝備、光伏裝備等核心業(yè)務(wù)的最新進展，展現(xiàn)出在半導(dǎo)體材料與裝備國產(chǎn)化領(lǐng)域的強勁競爭力。

    碳化硅襯底：12 英寸技術(shù)突破 + 全球化產(chǎn)能布局，國際訂單落地

    作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅襯底業(yè)務(wù)成為本次交流的焦點。據(jù)披露，晶盛機電已實現(xiàn)6-8 英寸碳化硅襯底規(guī)�；�量產(chǎn)與銷售，量產(chǎn)產(chǎn)品核心參數(shù)指標(biāo)達到行業(yè)一流水平，同時成功突破 12 英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長技術(shù)，順利長出 12 英寸碳化硅晶體，標(biāo)志著公司在大尺寸碳化硅材料領(lǐng)域躋身行業(yè)前列。

    產(chǎn)能布局方面，公司正加速構(gòu)建全球化供應(yīng)體系：在上虞基地布局年產(chǎn) 30 萬片碳化硅襯底項目，滿足國內(nèi)市場需求；面向全球市場，在馬來西亞檳城投建 8 英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目，進一步強化海外供應(yīng)能力；此外，銀川基地的 8 英寸碳化硅襯底片配套晶體項目也在推進中，持續(xù)夯實規(guī)模優(yōu)勢。

    值得關(guān)注的是，依托晶體生長及加工設(shè)備的高度自給能力，晶盛機電實現(xiàn)了 “設(shè)備 - 工藝” 深度融合，在技術(shù)調(diào)整、產(chǎn)能投放及成本控制上具備顯著競爭優(yōu)勢。目前，公司碳化硅襯底已啟動全球客戶驗證，送樣范圍大幅擴大，驗證進展順利，且成功獲取部分國際客戶批量訂單，全球化市場突破成效初顯。

    對于碳化硅襯底的應(yīng)用前景，公司指出，導(dǎo)電型碳化硅襯底因高擊穿場強、高導(dǎo)熱率等特性，在新能源汽車功率器件、儲能變流器等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大；半絕緣型碳化硅則憑借低載流子濃度、優(yōu)異微波損耗特性，成為 5G/6G 基站射頻前端器件核心襯底，同時在 AR 眼鏡、高端散熱等終端領(lǐng)域具備不可替代性。

    半導(dǎo)體裝備：未完成訂單超 37 億元，多品類實現(xiàn)國產(chǎn)替代

    在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)領(lǐng)域，晶盛機電受益于行業(yè)國產(chǎn)化進程加速，呈現(xiàn) “訂單飽滿 + 技術(shù)突破” 雙利好態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示，截至 2025 年 6 月 30 日，公司未完成集成電路及化合物半導(dǎo)體裝備合同金額超37 億元（含稅） ，為后續(xù)業(yè)績增長提供堅實支撐。

    技術(shù)突破方面，公司在集成電路裝備與化合物半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域多點開花：

    集成電路裝備：自主研發(fā)的 12 英寸常壓硅外延設(shè)備已順利交付國內(nèi)頭部客戶，其電阻率、厚度均勻性、外延層缺陷密度等關(guān)鍵指標(biāo)達到國際先進水平；12 英寸干進干出邊拋機、12 英寸雙面減薄機等新產(chǎn)品正推進客戶驗證；12 英寸硅減壓外延生長設(shè)備實現(xiàn)銷售出貨，采用單溫區(qū) / 多溫區(qū)閉環(huán)控溫、多真空區(qū)間精準(zhǔn)控壓技術(shù)，結(jié)合獨特腔體設(shè)計，可滿足先進制程對膜厚均勻性、摻雜均勻性的高標(biāo)準(zhǔn)要求；此外，公司開發(fā)的先進封裝用超快紫外激光開槽設(shè)備，填補國內(nèi)高端紫外激光開槽技術(shù)空白，成功實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

    化合物半導(dǎo)體裝備：緊抓碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈向 8 英寸切換趨勢，重點推廣 8 英寸碳化硅外延設(shè)備及 6-8 英寸碳化硅減薄設(shè)備，同時推進碳化硅氧化爐、激活爐、離子注入設(shè)備的客戶驗證，為規(guī)�；�量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。目前，公司碳化硅設(shè)備客戶已覆蓋瀚天天成、東莞天域、芯聯(lián)集成、士蘭微等行業(yè)頭部企業(yè)，市場認(rèn)可度持續(xù)提升。