行業(yè)洞察 | 無(wú)襯底Hi-Micro LED:從實(shí)驗(yàn)室到消費(fèi)市場(chǎng)的商業(yè)化之路

來(lái)源:投影時(shí)代 更新日期:2026-01-30 作者:pjtime資訊組

    在追求極致顯示效果的道路上,Micro LED技術(shù)一直被寄予厚望。它幾乎集成了LCD與OLED所有的優(yōu)點(diǎn):超高亮度、超大視角、無(wú)限對(duì)比度、長(zhǎng)壽命以及極低的功耗。然而,從實(shí)驗(yàn)室的理想模型到真正進(jìn)入大眾視野的商業(yè)產(chǎn)品,Micro LED在超微尺寸下仍需突破襯底束縛、巨量轉(zhuǎn)移與成本瓶頸。

    2025年,利亞德首發(fā)Hi-Micro LED 產(chǎn)品,率先實(shí)現(xiàn)Micro LED無(wú)襯底技術(shù)的突破,更是打破了其從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn)的核心桎梏,為行業(yè)提供了從“能做”到“好用、能用得起”的完整樣本。

    01 為什么必須是無(wú)襯底Hi-Micro LED技術(shù)?

    傳統(tǒng)的LED芯片通常生長(zhǎng)在藍(lán)寶石或GaAs襯底上,襯底為L(zhǎng)ED外延的生長(zhǎng)提供了穩(wěn)定良好的支撐。但在邁向Micro LED階段,襯底的存在成為了阻礙。

    在將Micro LED制備成分立器件的過(guò)程中,襯底的切割難度大大提升,尤其是將芯片尺寸縮小至50μm以下時(shí),切割良率大幅降低,傳統(tǒng)LED的切割工藝幾乎不再適用。因此,亟需去除LED襯底,解除襯底對(duì)于LED芯片尺寸微縮的限制,實(shí)現(xiàn)更高像素密度的排列。

    利亞德Hi-Micro LED(高階MIP)技術(shù)的核心,在于“剝離”與“重構(gòu)”。

    通過(guò)激光剝離(LLO)等尖端工藝,阻礙光路和提高切割難度的藍(lán)寶石襯底被去除,形成了無(wú)襯底薄膜結(jié)構(gòu)(Thin-film)芯片。這種結(jié)構(gòu)下,LED芯片厚度薄至10μm量級(jí),發(fā)光層直接貼合封裝界面。這不僅減少了藍(lán)寶石對(duì)于出光角度一致性的影響,更讓芯片具備了近乎極致的散熱性能。

    02 跨越商業(yè)化的“三大關(guān)卡”

    無(wú)襯底技術(shù)固然驚艷,但要實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,利亞德必須攻克行業(yè)公認(rèn)的三大難題:巨量轉(zhuǎn)移、良率控制與成本優(yōu)化。

    巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的跨越

    在Hi-Micro LED的研發(fā)初期,如何在每秒鐘內(nèi)精準(zhǔn)地將數(shù)萬(wàn)顆只有發(fā)絲直徑幾分之一的、無(wú)襯底的薄膜芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路板上?利亞德放棄了低效的機(jī)械抓取,轉(zhuǎn)向了激光驅(qū)動(dòng)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。

    Hi-Micro LED技術(shù)通過(guò)非接觸式激光瞬時(shí)加熱,使無(wú)襯底芯片從臨時(shí)基板上精準(zhǔn)“彈射”到目標(biāo)位置。這種方式不僅回避了物理接觸帶來(lái)的損傷風(fēng)險(xiǎn),更實(shí)現(xiàn)了數(shù)百萬(wàn)級(jí)像素的高效集成。

    在封裝形態(tài)上延續(xù)MIP(Micro LED in Package)思路,便于分bin、混光與大規(guī)模貼片,適配0.4‑1.8mm間距的大屏商用場(chǎng)景。

    “99.99%”之后的追逐

    無(wú)襯底芯片因其極薄,極其脆弱。利亞德在Hi-Micro LED生產(chǎn)流程中引入了全自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)與全自動(dòng)在線檢測(cè)技術(shù),極大地提高了檢測(cè)效率;同時(shí),搭配全自動(dòng)人工智能(AI)修復(fù)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了從芯片端到模組端的全鏈路品質(zhì)受控,將Micro LED的綜合良率推向了商用化的臨界點(diǎn)。

 

    成本的“摩爾定律”

    商業(yè)化的本質(zhì)是讓先進(jìn)技術(shù)變得“可負(fù)擔(dān)”。Hi-Micro LED技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于:去除襯底后,芯片可以通過(guò)高密度的圓片級(jí)加工。利亞德通過(guò)縮小芯片尺寸(目前已向20μm甚至更小跨越),在同尺寸晶圓上產(chǎn)出更多芯片,結(jié)合規(guī);庋b工藝,顯著降低了單位像素的成本。

    03 從降本到商業(yè)化:如何把“Hi-Micro LED”做成“生意”

    利亞德Hi-Micro LED(高階MIP)技術(shù)的商業(yè)化之路,走的是一條“由點(diǎn)及面”的路徑。目前,在應(yīng)用層面,Hi‑Micro LED已覆蓋:

    高端商顯與指揮調(diào)度:P0.4‑P1.8系列滿足會(huì)議室、控制室等超高清與高可靠需求;

    電影放映:P0.9 Micro LED電影屏通過(guò)DCI認(rèn)證,推動(dòng)LED電影屏從“概念”走向標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品;

    家庭與巨幕一體機(jī):推動(dòng)Micro LED向家庭影院、家用超大屏滲透;

    新興場(chǎng)景:AR眼鏡、透明屏與車載窗玻璃顯示等前瞻探索,其中透明Micro LED與車窗結(jié)合尚處實(shí)驗(yàn)室階段,為未來(lái)車載埋下伏筆。

    此外,利亞德與中國(guó)科學(xué)院空間中心聯(lián)合研發(fā)的光通信(LiFi)技術(shù)取得關(guān)鍵突破,開啟場(chǎng)景化應(yīng)用新篇章,提升在重要場(chǎng)所、高速移動(dòng)平臺(tái)、低空經(jīng)濟(jì)、工業(yè)4.0、智能家居等各類應(yīng)用場(chǎng)景下的通信保障服務(wù)能力。

    對(duì)于利亞德而言,Hi-Micro LED 不僅僅是一項(xiàng)顯示技術(shù),它更是對(duì)顯示產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的一次重塑。當(dāng)襯底消失,顯示的本質(zhì)——“光”便得到了前所未有的自由。利亞德正站在這場(chǎng)自由革命的暴風(fēng)眼,通過(guò)Hi-Micro LED,將人類帶入一個(gè)視界無(wú)界、想象無(wú)垠的新時(shí)代。

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