激光巨量轉(zhuǎn)移、鈣鈦礦、量子點(diǎn)，邁為股份、京東方、兆馳等8企MicroLED技術(shù)獲重大進(jìn)展！

    在顯示技術(shù)的激烈競爭中，MicroLED 技術(shù)憑借其卓越的性能，如高亮度、高對(duì)比度、高刷新率、長壽命和低功耗等，被公認(rèn)為 “下一代顯示技術(shù)” 的有力競爭者，在巨幕電視、商用顯顯、車載顯示、AR眼鏡等諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用前景。近期，邁為股份、溢彩芯光、賽富樂斯、欣奕華智、JBD上海顯耀、京東方、兆馳半導(dǎo)體、鐳昱光電等8企透露MicroLED 在專利技術(shù)、芯片、封裝、工藝制造、巨量轉(zhuǎn)移裝備等方面取得顯著進(jìn)展。

    邁為股份成功交付Micro LED MIP 轉(zhuǎn)移段成套解決方案，助推Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

    近日，邁為股份自主研發(fā)的Micro LED MIP轉(zhuǎn)移段成套解決方案成功交付顯示領(lǐng)域客戶，為其提供兼具量產(chǎn)效益及產(chǎn)品優(yōu)勢的先進(jìn)裝備與技術(shù)方案。

    MIP(Mini/Micro LED in Package)是一種芯片級(jí)封裝技術(shù)，通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將剝離襯底的 Micro LED三色發(fā)光芯片固定在載板上，經(jīng)封裝、切割、檢測及混光后形成獨(dú)立器件，可以降低微間距LED顯示器的制造成本并提升產(chǎn)量。

    邁為股份自主開發(fā)的Micro LED MIP轉(zhuǎn)移段成套解決方案集成了激光剝離 (LLO)、激光巨量轉(zhuǎn)移(LMT)、激光切割等設(shè)備，覆蓋MIP工藝中Micro LED芯片從外延層襯底剝離到巨量轉(zhuǎn)移、精準(zhǔn)切割與分離的全制程。其中，芯片轉(zhuǎn)移環(huán)節(jié)采用的激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備，在實(shí)現(xiàn)數(shù)十萬甚至上百萬微米級(jí)的Micro LED晶粒精準(zhǔn)且高效轉(zhuǎn)移的同時(shí)，兼具智能化單顆回補(bǔ)功能，可顯著提升MIP工藝流程的生產(chǎn)效率，降低單位制造成本，有力保障客戶端Micro LED產(chǎn)品的良率、效率與品質(zhì)。

    此次方案的交付，也標(biāo)志著公司在MIP封裝領(lǐng)域取得重要突破，進(jìn)一步提升了其Micro LED核心制程設(shè)備的市占率。

    1.5μm 精度領(lǐng)航！欣奕華智首臺(tái) Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備震撼交付

    6 月 13 日，合肥欣奕華智能機(jī)器股份有限公司（以下簡稱 “欣奕華智”）宣布，其首臺(tái) Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備正式下線交付客戶。欣奕華智此次交付的 Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備，采用了多項(xiàng)自主研發(fā)的核心技術(shù)，具備多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢。​

    設(shè)備搭載超高精度運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)精密自動(dòng)對(duì)位和芯片高效巨量轉(zhuǎn)移，芯片轉(zhuǎn)移綜合精度控制在 1.5μm 以內(nèi)，確保了芯片轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。同時(shí)，自主設(shè)計(jì)的光路系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了光斑高均勻性和穩(wěn)定性，為芯片轉(zhuǎn)移提供了可靠的光學(xué)保障。此外，設(shè)備還具備晶圓姿態(tài)檢測及校正功能、光斑位置自校正功能，進(jìn)一步提升了設(shè)備穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。​

    在兼容性方面，該設(shè)備最大支持 G2.5 代（370mmX470mm）基板，可滿足不同客戶的多樣化需求。搭配欣奕華智自研的 Micro LED 準(zhǔn)分子激光剝離設(shè)備、DPSS 固體激光剝離設(shè)備，能夠?yàn)榭蛻籼峁┮徽臼降?Micro LED 制程解決方案，助力客戶降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。​

    此次首臺(tái) Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備的交付，不僅彰顯了欣奕華智自成立以來在新型顯示領(lǐng)域不斷積累的技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新實(shí)力，更為公司未來發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。​

    國內(nèi)首款鈣鈦礦量子點(diǎn)全彩 Micro LED 芯片今秋量產(chǎn)

    近日，溢彩芯光科技（寧波）有限公司傳來喜訊，其成功研發(fā)的國內(nèi)首款鈣鈦礦量子點(diǎn)全彩微米級(jí)發(fā)光二極管（Micro LED）芯片，將于今年秋天實(shí)現(xiàn)批量供貨。這款突破性的芯片，將率先應(yīng)用于國產(chǎn) AR 眼鏡，為解決行業(yè)痛點(diǎn)、提升產(chǎn)品性能提供強(qiáng)大的 “中國芯” 支撐。​

    據(jù)溢彩芯光科技（寧波）有限公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理李飛介紹，這款芯片好比AR眼鏡的‘翻譯官’，負(fù)責(zé)把接收到的數(shù)字信號(hào)精準(zhǔn)轉(zhuǎn)化為光電信號(hào)。相比傳統(tǒng)方案，該芯片不含重金屬鎘，更環(huán)保、成本更低。同時(shí)，轉(zhuǎn)光層厚度更薄，提高出光效率，進(jìn)一步降低了功耗。

    科研團(tuán)隊(duì)用了2年時(shí)間，攻克AR眼鏡室外看不清、耗電快等痛點(diǎn)，比如在陽光明媚的室外，該芯片能以更高出光效率，讓AR眼鏡呈現(xiàn)更亮的圖像，清晰適配人眼觀賞需求。同時(shí)，芯片功耗降至500毫瓦以內(nèi)，發(fā)熱大幅減少。

    經(jīng)過嚴(yán)苛的高溫高濕加速老化實(shí)驗(yàn)，這款甬產(chǎn)芯片壽命突破500小時(shí)，相當(dāng)于支持AR眼鏡實(shí)際運(yùn)行3萬小時(shí)。目前，該芯片主攻AR眼鏡市場。未來，車載AR-HUD（增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)平視顯示系統(tǒng)）、智能矩陣車燈、口袋投影儀等領(lǐng)域，都是其應(yīng)用舞臺(tái)。

    賽富樂斯發(fā)布0.13 英寸單片全彩MicroLED 微顯示屏

    近日，量子點(diǎn) Micro LED 產(chǎn)品及解決方案提供商賽富樂斯（Saphlux LLC）正式推出 T3 系列 0.13 英寸單片全彩 MicroLED 微顯示屏，為新一代增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）眼鏡帶來更豐富的顯示內(nèi)容與更高效的信息提示體驗(yàn)。

    JBD成功將MicroLED微顯示的壞點(diǎn)數(shù)從單屏≤100個(gè)降至≤3個(gè)，JBD ARTCs畫質(zhì)引擎商用落地

    壞點(diǎn)與暗點(diǎn)的數(shù)量一直是衡量MicroLED微顯示產(chǎn)品可靠性和技術(shù)成熟度的關(guān)鍵指標(biāo)。此前，受限于技術(shù)水平和生產(chǎn)工藝，行業(yè)內(nèi)普遍面臨單屏壞點(diǎn)數(shù)量接近100個(gè)的技術(shù)瓶頸，這在一定程度上阻礙了消費(fèi)級(jí)AR終端的普及應(yīng)用。為了打破這一技術(shù)制約，JBD近年來持續(xù)深入MicroLED微顯示核心技術(shù)研究，將微顯示屏的壞點(diǎn)數(shù)降至單屏≤3個(gè)，其中0壞點(diǎn)完美屏的比例大幅提升。

    不止于此，暗點(diǎn)同樣是MicroLED微顯示領(lǐng)域長期被忽視的技術(shù)挑戰(zhàn)，它直接影響畫面均勻性與成像質(zhì)量。通過技術(shù)升級(jí)，JBD將單屏暗點(diǎn)率從高達(dá)0.4%降至0.03%的極低水平，再結(jié)合JBD獨(dú)有的Demura像素亮度補(bǔ)償算法，大幅度提高像素亮度均勻性。

    壞點(diǎn)與暗點(diǎn)對(duì)顯示質(zhì)量和用戶體驗(yàn)有著較大的影響，死點(diǎn)會(huì)在圖像中形成明顯的黑色斑點(diǎn)，破壞畫面的完整性和細(xì)節(jié)表現(xiàn)；暗點(diǎn)則會(huì)使圖像出現(xiàn)灰暗瑕疵，影響色彩準(zhǔn)確性和畫面均勻性。在高對(duì)比度或明亮場景中，這些缺陷尤為顯眼，容易分散用戶注意力，降低視覺沉浸感。減少壞點(diǎn)和暗點(diǎn)，可以有效避免圖像殘缺、顏色暗淡失真等問題，顯著提升畫面的完整性和均勻性，在提升AR近眼顯示場景的視覺質(zhì)量方面起著至關(guān)重要的作用。

    另外，JBD近期宣布其自主研發(fā)的AR光波導(dǎo)眼鏡系統(tǒng)級(jí)畫質(zhì)引擎—ARTCs，已深度應(yīng)用于雷鳥創(chuàng)新（RayNeo）旗艦產(chǎn)品"雷鳥X3 Pro"中，為全彩MicroLED光波導(dǎo)AR眼鏡帶來煥然一新的視覺體驗(yàn)。ARTCs畫質(zhì)引擎的核心設(shè)備ARTCs-WG已成功在雷鳥創(chuàng)新產(chǎn)線落地，全面支持AR眼鏡規(guī)�；�量產(chǎn)。

    JBD業(yè)內(nèi)首個(gè)AR光波導(dǎo)畫質(zhì)校正方案ARTCs及配套的量產(chǎn)設(shè)備ARTCs-WG系統(tǒng)通過光引擎?zhèn)忍幚砗蛯Ｓ挟嬞|(zhì)算法，將MicroLED光波導(dǎo)AR眼鏡的全局亮度均勻性從"<40%"提升至">80%"，色差ΔE從">0.1"降低至"~0.02"，有效消除了色彩失真與顆粒感，顯著改善光波導(dǎo)的顯示品質(zhì)。

    京東方、兆馳半導(dǎo)體、鐳昱光電MicroLED專利

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN119364943B。該發(fā)明公開了一種Micro-LED外延片及其制備方法、涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。其中，Micro-LED外延片依次包括襯底、緩沖層、第一翹曲調(diào)控層、非摻雜GaN層、第二翹曲調(diào)控層、N型GaN層、第三翹曲調(diào)控層、多量子阱層和P型GaN層；

    所述第一翹曲調(diào)控層為三維GaN層，所述第二翹曲調(diào)控層包括交替層疊的第一Si摻GaN層和Si摻AlGaN層，所述第三翹曲調(diào)控層包括依次層疊于所述N型GaN層上的Si摻AlInGaN層和超晶格層，所述超晶格層包括交替層疊的第二Si摻GaN層和InGaN層。實(shí)施本發(fā)明，可提升Micro-LED的發(fā)光效率和波長均勻性。

    京東方科技集團(tuán)股份有限公司、北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置”的專利，公開號(hào)CN120113372A，該專利公開提供了一種Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置，Micro LED顯示基板包括：驅(qū)動(dòng)背板、多個(gè)Micro LED結(jié)構(gòu)和多個(gè)色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。其中，多個(gè)Micro LED結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置于驅(qū)動(dòng)背板之上，且與驅(qū)動(dòng)背板電連接；各Micro LED結(jié)構(gòu)用于出射相同顏色的光線。一個(gè)色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)與一個(gè)Micro LED結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，各色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)位于對(duì)應(yīng)的Micro LED結(jié)構(gòu)背離驅(qū)動(dòng)背板的一側(cè)，用于將對(duì)應(yīng)的Micro LED結(jié)構(gòu)出射的光線轉(zhuǎn)換為設(shè)定顏色的光線，從而實(shí)現(xiàn)全彩圖像的顯示。

    鐳昱光電科技（蘇州）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法”的專利，公開號(hào)CN120112035A，本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法，Micro-LED顯示芯片包括了驅(qū)動(dòng)面板、多個(gè)LED單元、多個(gè)柵格結(jié)構(gòu)和波長轉(zhuǎn)換層，而波長轉(zhuǎn)換層背離于LED單元的一側(cè)形成有粗糙層，基于此通過粗糙層的設(shè)置可以使Micro-LED顯示芯片具備更大的出光表面積，進(jìn)而可以改變光的出射方向，減少光子在界面處發(fā)生全反射，增加光子透過率，從而達(dá)到提升量子效率的目的，通過提高光子透過率可以提升Micro-LED顯示芯片的顯示亮度和色彩飽和度。