微導(dǎo)納米：聚焦核心工藝，多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破

    近日，江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司（以下簡稱 “微導(dǎo)納米”）披露 2025 年 1-9 月經(jīng)營業(yè)績及投資者關(guān)系活動核心內(nèi)容。公司前三季度營收與凈利潤雙雙實(shí)現(xiàn)顯著增長，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，訂單與收入均呈爆發(fā)式增長，充分受益于國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮與設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。

    核心業(yè)績：營收凈利雙增 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成增長引擎

    2025 年 1-9 月，微導(dǎo)納米實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 17.22 億元，同比增長 11.48%；歸屬于上市公司股東的凈利潤 2.48 億元，同比大幅增長 64.83%。

    半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成為驅(qū)動公司增長的核心動力。同期，公司半導(dǎo)體設(shè)備營業(yè)收入達(dá) 5.26 億元，同比激增 78.27%，占總營收比例升至 30.56%；半導(dǎo)體領(lǐng)域新增訂單約 14.83 億元，同比增幅高達(dá) 97.26%。這一成績主要得益于國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，以及邏輯、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域設(shè)備國產(chǎn)化率的穩(wěn)步提升。

    業(yè)務(wù)亮點(diǎn)：深度綁定存儲龍頭 多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破

    作為國內(nèi)領(lǐng)先的 ALD（原子層沉積）與高端 CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備供應(yīng)商，微導(dǎo)納米深度受益于本輪存儲芯片 “超級周期”。公司設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)線，半導(dǎo)體新增訂單中超過 80% 來自 NAND 與 DRAM 頭部客戶。

    針對存儲芯片 3D 架構(gòu)升級趨勢，公司持續(xù)推出關(guān)鍵設(shè)備，其 ALD 技術(shù)憑借優(yōu)異的三維覆蓋能力和原子級膜厚控制精度，成為 3D NAND、3D DRAM 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的核心支撐；高端 CVD 設(shè)備則實(shí)現(xiàn)硬掩膜關(guān)鍵工藝突破，無定形碳硬掩膜工藝可確保數(shù)百層堆疊結(jié)構(gòu)的圖形精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移，為存儲芯片高密度集成提供技術(shù)保障。

    除存儲芯片領(lǐng)域外，公司在邏輯芯片和先進(jìn)封裝領(lǐng)域亦取得重要進(jìn)展。邏輯芯片領(lǐng)域，多款設(shè)備通過國內(nèi)主流廠商技術(shù)驗(yàn)證，關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平；先進(jìn)封裝領(lǐng)域，相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入客戶端驗(yàn)證階段，憑借先發(fā)優(yōu)勢與多家潛在客戶開展技術(shù)交流，市場拓展?jié)摿︼@著。

    國產(chǎn)化擔(dān)當(dāng)：聚焦核心工藝 引領(lǐng)技術(shù)迭代

    微導(dǎo)納米定位為國產(chǎn)高端薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者，聚焦國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)亟需的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，在 ALD、高端 CVD 等核心設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破并成功產(chǎn)業(yè)化。

    目前，我國半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率仍處于較低水平，中高端薄膜沉積設(shè)備需求尤為緊迫。公司產(chǎn)品已獲得邏輯、存儲、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域頭部客戶認(rèn)可，持續(xù)助力國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。未來，公司將繼續(xù)聚焦半導(dǎo)體高端薄膜工藝和解決方案，推動設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程，服務(wù)半導(dǎo)體新架構(gòu)、新器件發(fā)展趨勢。