晶能光電：硅基氮化鎵Micro LED顯示技術發(fā)展與未來

    2021年12月7日， 在深圳舉辦了“2022集邦咨詢化合物半導體新應用前瞻分析會”。晶能光電應邀參加，大會上晶能光電外延研發(fā)經理郭嘯分享了《硅基氮化鎵Micro LED顯示技術發(fā)展與未來》的主題報告。

    演講中，晶能光電外延研發(fā)經理郭嘯為大家分享了硅襯底Mini LED和Micro LED的特點和優(yōu)勢。在談到Mini LED時，郭經理詳細介紹了晶能光電的硅襯底全垂直結構Mini LED產品量產規(guī)劃并介紹了Mini LED 超高清顯示屏應用進展和正在開發(fā)中的TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案。同時也介紹了在超高清顯示屏應用中硅襯底全垂直結構Mini LED產品有著光品質優(yōu)良、垂直發(fā)光沒有側光、對比度高；同時具有良好的耐電流沖擊和抗靜電能力；產品一致性好、穩(wěn)定性好、可靠性高；沒有金屬Cr可完全避免金屬離子遷移問題等幾大優(yōu)勢。

    在Micro LED部分，他指出，相比成熟的OLED技術，Micro LED顯示技術具有低功耗；高對比度、高亮度；超高解析度和色彩飽和度；高刷新率，壽命長、穩(wěn)定性好；寬色域、寬視角；透明性、無縫銜接等先天優(yōu)勢。但是在開發(fā)和產業(yè)化過程中還存在很多的困難，其中紅光LED是Micro LED技術的重大瓶頸之一，開發(fā)高效的GaN基紅光Micro LED成為當務之急。

    郭嘯表示晶能光電的GaN基 LED技術在這方面有著很大的優(yōu)勢，由于硅襯底GaN與硅半導體晶圓的物理兼容性，硅襯底Micro LED在制程良率和制造成本上有明顯的優(yōu)勢，可以最大效能利用現有資源，同時避開巨量轉移問題，晶能光電優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究，應用AR/VR/HUD/HMD等方向，硅基GaN與硅基CMOS驅動電路進行晶圓級邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。

    本著先單色、后全彩化的研究路線，2021年9月，晶能光電已成功制備紅、綠、藍三基色硅襯底Micro LED陣列，在Micro LED全彩芯片開發(fā)上邁出了關鍵的一步。我們也已經和國內外多家企業(yè)和科研單位聯(lián)合開發(fā)硅襯底Micro LED顯示技術，我們期待與更多產業(yè)鏈合作伙伴一起推動Micro LED新時代顯示技術的發(fā)展。