上海新陽2024年財報：營收14.75億元，同增21.67%

    4月18日，上海新陽半導體材料股份有限公司發(fā)布2024年年度報告。報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入14.75 億元，較去年同期增長21.67%。實現(xiàn)歸母凈利潤1.76 億元，同比增長5.32%，扣非凈利潤為1.61 億元，同比增長30.63%。

    公司半導體行業(yè)實現(xiàn)營業(yè)收入10.35 億元，同比增長34.78%，主要是公司半導體業(yè)務板塊新產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢逐步凸顯，類型不斷豐富，重點項目市場開發(fā)進展順利，取得客戶訂單數(shù)量持續(xù)增加。

    報告期內(nèi)，公司晶圓制造用關(guān)鍵工藝材料銷量增加較多，其中，晶圓制造用電鍍液及添加劑系列產(chǎn)品市場份額快速增長，集成電路制造用清洗、蝕刻系列產(chǎn)品在客戶端進展順利，銷售不斷攀升。涂料板塊業(yè)務，建筑行業(yè)市場復蘇緩慢，但受涂料產(chǎn)品售價下降等不利因素影響，2024 年實現(xiàn)營業(yè)收入4.40 億元，較去年同期略有下降。面對市場的挑戰(zhàn)與壓力，公司子公司積極應對，順應時勢調(diào)整運營管理策略，不斷優(yōu)化運營成本結(jié)構(gòu)，凈利潤同比實現(xiàn)增長。

    報告期內(nèi)，面對產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展及下游客戶的迭代需求，公司圍繞電子電鍍、電子清洗、電子光刻、電子研磨、電子蝕刻五大核心技術(shù)，持續(xù)加大研發(fā)投入，創(chuàng)新產(chǎn)品技術(shù)，為客戶提供整體化解決方案。報告期內(nèi)公司研發(fā)投入總額2.2 億元，占本期營業(yè)收入的比重為14.92%，主要集中于集成電路制造用光刻膠、先進制程濕法蝕刻液、清洗液、添加劑、化學機械研磨液等項目。

    在集成電路制造及先進封裝材料領(lǐng)域，公司自主開發(fā)的用于芯片銅互連的電鍍系列產(chǎn)品——大馬士革工藝材料、硅通孔工藝（TSV）材料廣泛應用，來實現(xiàn)金屬之間的互連。近年來隨著高性能計算、AI 技術(shù)的快速發(fā)展，先進封裝技術(shù)的需求快速增長，TSV 技術(shù)作為先進封裝的核心工藝，通過與2.5D/3D 封裝、異構(gòu)集成等技術(shù)的深度融合，成為推動芯片性能與集成度躍升的關(guān)鍵路徑。經(jīng)過多年的開發(fā)創(chuàng)新與技術(shù)儲備，公司研發(fā)并量產(chǎn)的適用于TSV 工藝的銅互連電鍍添加劑，已經(jīng)實現(xiàn)高效、均勻及結(jié)晶良好的3D-TSV 中的微孔電鍍填充，最高深寬比可達20：1，處于國際領(lǐng)先水平。隨著先進封裝工藝技術(shù)的日趨成熟，公司與客戶聯(lián)動的緊密度加深，公司電鍍液及其添加劑相關(guān)產(chǎn)品銷售規(guī)模將持續(xù)快速提升。報告期內(nèi)公司電鍍液及添加劑系列產(chǎn)品銷售額與去年同期相比增長超50%，其中先進封裝用電鍍材料同比增長116%。

    在集成電路制造用清洗液產(chǎn)品方面，28nm 干法蝕刻后清洗液產(chǎn)品已規(guī)模化量產(chǎn)，14nm技術(shù)節(jié)點干法蝕刻后清洗液也已量產(chǎn)并實現(xiàn)銷售，公司干法蝕刻后清洗液產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)14nm 及以上技術(shù)節(jié)點全覆蓋。本報告期干法蝕刻后清洗液產(chǎn)品銷售規(guī)模不斷擴大，廣泛應用于邏輯電路、模擬電路、存儲器件等晶圓制造客戶。其中，鋁互連干法蝕刻后清洗液長期受制于國外唯一原材料供應商限制，面對先進制程所需的配套材料亦需國產(chǎn)化的現(xiàn)狀，公司自主研發(fā)攻關(guān)的防“卡脖子”的關(guān)鍵原材料項目——非羥胺清洗液項目，完成產(chǎn)品技術(shù)不斷地迭代升級，在國內(nèi)主流晶圓制造客戶端通過驗證并實現(xiàn)銷售，該項目產(chǎn)品的清洗能力不斷提升，市場份額逐步增加。公司憑借先進的技術(shù)優(yōu)勢及市場服務，晶圓制造用銅/鋁制程清洗系列產(chǎn)品報告期內(nèi)銷售額快速增加，同比增長47%，持續(xù)鞏固了公司晶圓清洗系列產(chǎn)品市場地位。

    蝕刻液是晶圓制造過程中的關(guān)鍵工藝化學材料，用于在晶圓加工過程中選擇性去除特定材料（如硅、二氧化硅、金屬等），以形成電路圖案，尤其在復雜圖形加工和特定材料處理方面具有不可替代的作用。公司原創(chuàng)開發(fā)的用于芯片制造的蝕刻液產(chǎn)品，自2018 年立項以來歷經(jīng)三年技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)四代技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)及迭代升級，可滿足最大縱深比1：200 的復雜圖形的高精度蝕刻，達到蝕刻后圖形的均勻性和平整性要求。目前公司已有三代技術(shù)產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)�；�市場銷售，開發(fā)出的適用于全世界最高水準的3D NAND 存儲芯片的高選擇比氮化硅蝕刻液，選擇性蝕刻速率最高可達2000：1，報告期內(nèi)蝕刻液市場應用規(guī)模進一步擴大，銷售額持續(xù)增長。針對半導體產(chǎn)業(yè)快速更新迭代的需求，公司研發(fā)團隊持續(xù)縱深開發(fā)，做好前瞻性的材料研究和技術(shù)儲備，針對3D NAND、DRAM 存儲工藝需求的蝕刻類配方型化學品技術(shù)積極布局重點開發(fā)，目前兩類蝕刻技術(shù)與產(chǎn)品已達到國際領(lǐng)先技術(shù)水平，在3D 存儲芯片制造工藝中已占有舉足輕重的地位。公司蝕刻類產(chǎn)品的技術(shù)及服務優(yōu)勢不斷凸顯，品牌影響力不斷提高。

    光刻膠作為晶圓制造環(huán)節(jié)中的重要關(guān)鍵材料，長期以來被日本、歐美等海外企業(yè)所壟斷。公司作為集成電路制造用關(guān)鍵工藝材料研發(fā)型企業(yè)，致力于推動高端光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化進程，依托自身的技術(shù)實力和持續(xù)的研發(fā)投入，經(jīng)過8 年的開發(fā)布局，已建成包括I 線、KrF、ArF 干法、ArF 浸沒式各類光刻膠在內(nèi)的完整的研發(fā)合成、配制生產(chǎn)、質(zhì)量管控、分析測試平臺，能為國內(nèi)芯片企業(yè)提供多品類光刻膠產(chǎn)品，部分品類已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，少數(shù)品類關(guān)鍵光學數(shù)據(jù)處行業(yè)領(lǐng)先水平，公司已成為國內(nèi)光刻膠供應鏈中重要一環(huán)。報告期內(nèi)，公司KrF 光刻膠已有多款產(chǎn)品實現(xiàn)批量化銷售，光刻膠產(chǎn)品整體銷售規(guī)模持續(xù)增加，同比增長超100%，其中，ArF 浸沒式光刻膠已取得銷售訂單，邁出了實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的第一步，為國產(chǎn)高端光刻膠早日實現(xiàn)國產(chǎn)化提供了堅實的支撐。

    在集成電路用化學機械研磨液技術(shù)與產(chǎn)品開發(fā)方面，基礎研發(fā)、生產(chǎn)工藝、分析開發(fā)、技術(shù)應用等方面工作進展迅速，成熟的STI slurry、Poly slurry、W slurry 等系列產(chǎn)品在客戶端測試驗證已完成，可覆蓋14nm 及以上技術(shù)節(jié)點，并進入批量化生產(chǎn)階段。其中，先進制程Poly slurry 產(chǎn)品已進入國內(nèi)主流晶圓公司產(chǎn)線，產(chǎn)品性能優(yōu)越，打破了國外對該產(chǎn)品的壟斷，為研磨液產(chǎn)品的量產(chǎn)銷售及未來發(fā)展奠定基礎。

    截至報告期末，公司已申請專利552 項，其中：發(fā)明專利389 項（已經(jīng)授權(quán)173 項），其中國際發(fā)明專利17 項（已經(jīng)授權(quán)9 項）。